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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMHT10H032LFJ-13
Código Farnell3589313
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 2,420 € |
10+ | 1,770 € |
100+ | 1,690 € |
500+ | 1,400 € |
1000+ | 1,320 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMHT10H032LFJ-13
Código Farnell3589313
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id6A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.025ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.025ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia900mW
Disipación de Potencia Pd900mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.025ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
900mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.025ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
900mW
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000121
Trazabilidad del producto