Imprimir página
DMHT10H032LFJ-13
MOSFET Doble, Canal N, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMHT10H032LFJ-13
Código Farnell3589313
Hoja de datos técnicos
2486 Productos en Stock
¿Necesita más?
.
.
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,540 € |
| 10+ | 1,890 € |
| 100+ | 1,700 € |
| 500+ | 1,370 € |
| 1000+ | 1,290 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
2,54 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMHT10H032LFJ-13
Código Farnell3589313
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id6A
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N100V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.025ohm
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.025ohm
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.033ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Disipación de Potencia900mW
Disipación de Potencia Pd900mW
Encapsulado del TransistorDFN5045
Número de pines12Pins
Disipación de Potencia Canal N900mW
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
6A
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.025ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.025ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.033ohm
Disipación de Potencia
900mW
Encapsulado del Transistor
DFN5045
Disipación de Potencia Canal N
900mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
100V
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Disipación de Potencia Pd
900mW
Número de pines
12Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000121
Trazabilidad del producto