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DGD21032S8-13
Controlador MOSFET, Medio Puente, Suministro 10 V a 20 V, Salida 0.6 A, Retardo 35 ns, SOIC-8
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FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDGD21032S8-13
Código Farnell2748561
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,822 € |
| 10+ | 0,584 € |
| 50+ | 0,514 € |
| 100+ | 0,418 € |
| 250+ | 0,385 € |
| 500+ | 0,369 € |
| 1000+ | 0,362 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDGD21032S8-13
Código Farnell2748561
Hoja de datos técnicos
Núm. de Canales2Channels
Tipo de Controlador de Puerta-
Configuración del ControladorMedio Puente
Tipo de Interruptor de PotenciaIGBT, MOSFET
Número de Pines8Pins
Encapsulado del CISOIC
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Tipo de EntradaInversión, No Inversión
Corriente de Suministro290mA
Corriente de Drenaje600mA
Tensión de Alimentación Mín.10V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Retardo de Entrada70ns
Retardo de Salida35ns
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Núm. de Canales
2Channels
Configuración del Controlador
Medio Puente
Número de Pines
8Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Corriente de Suministro
290mA
Tensión de Alimentación Mín.
10V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
70ns
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Tipo de Controlador de Puerta
-
Tipo de Interruptor de Potencia
IGBT, MOSFET
Encapsulado del CI
SOIC
Tipo de Entrada
Inversión, No Inversión
Corriente de Drenaje
600mA
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Retardo de Salida
35ns
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001633
Trazabilidad del producto