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S29GL01GT10TFI010
Memoria Flash, Arquitectura MirrorBit Eclipse, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Paralelo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS29GL01GT10TFI010
Código Farnell2768056
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
También conocido comoSP005664115, S29GL01GT10TFI010
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,960 € |
| 10+ | 11,270 € |
| 25+ | 11,070 € |
| 50+ | 10,400 € |
| 100+ | 10,360 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS29GL01GT10TFI010
Código Farnell2768056
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
También conocido comoSP005664115, S29GL01GT10TFI010
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria1Gbit
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesCFI, Paralelo
Encapsulado del CITSOP
Número de pines56Pins
Frecuencia de Reloj Máx.-
Tiempo de Acceso100ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal-
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GT10TFI010 is a 1Gb (128MB), parallel 3.0V, GL-T MIRRORBIT™ flash memory. This device offers a fast page access time as fast as 15ns, with a corresponding random access time as fast as 100ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time speed, fabricated on 45nm process technology
- VIO=VCC=2.7V to 3.6V, highest address sector protected CFI Version 1.5
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature - wide I/O voltage range (VIO) 1.65V to VCC
- ×8/×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Automatic error checking and correction (ECC) internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20-year data retention
- TSOP package, industrial temperature range from -40°C to +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Encapsulado del CI
TSOP
Frecuencia de Reloj Máx.
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
1Gbit
Interfaces
CFI, Paralelo
Número de pines
56Pins
Tiempo de Acceso
100ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.003714
Trazabilidad del producto