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S29GL01GT10FHI010
Memoria Flash, Arquitectura MirrorBit Eclipse, NOR Paralela, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Paralelo
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS29GL01GT10FHI010
Código Farnell2768058
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
También conocido comoSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 13,570 € |
| 10+ | 12,240 € |
| 25+ | 10,630 € |
| 50+ | 9,890 € |
| 100+ | 9,120 € |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS29GL01GT10FHI010
Código Farnell2768058
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
También conocido comoSP005664081, S29GL01GT10FHI010
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria1Gbit
Configuración de Memoria128M x 8bit
InterfacesCFI, Paralelo
Encapsulado del CIFBGA
Número de pines64Pins
Frecuencia de Reloj Máx.-
Tiempo de Acceso100ns
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal3V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Configuración de Memoria
128M x 8bit
Encapsulado del CI
FBGA
Frecuencia de Reloj Máx.
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
1Gbit
Interfaces
CFI, Paralelo
Número de pines
64Pins
Tiempo de Acceso
100ns
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.009215
Trazabilidad del producto