FM25V10-G

La FM25V10-G es una memoria F-RAM serie (SPI) de 1 Mbit en un encapsulado SOIC de 8 pines. Se trata de una memoria no volátil de 1 Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una F-RAM es no volátil y realiza operaciones de lectura y escritura de forma similar a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, eliminando las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel de sistema que causan las memorias flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de las memorias flash serie y EEPROM, la FM25V10 realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura considerable en comparación con otras memorias no volátiles. La FM25V10 admite 10^14 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que la EEPROM.

• Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 1 Mbit (F-RAM) organizada lógicamente como 128 K × 8
• Interfaz periférica serial muy rápida (SPI)
• Reemplazo directo de hardware para flash serial y EEPROM
• Bajo consumo de energía de 300 µA de corriente activa a 1 MHz, 90 µA (típico) de corriente en espera
• Funcionamiento de baja tensión VDD = 2,7 V a 3,6 V
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C