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S25FL064LABMFM010
Memoria Flash, AEC-Q100, NOR Serie, 64 Mbit, 8M x 8bit, SPI, SOIC, 8 Pines
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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS25FL064LABMFM010
Código Farnell2771136
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
También conocido comoSP005661065, S25FL064LABMFM010
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,490 € |
| 10+ | 1,400 € |
| 50+ | 1,330 € |
| 100+ | 1,300 € |
| 250+ | 1,250 € |
| 500+ | 1,220 € |
| 1000+ | 1,190 € |
| 2500+ | 1,170 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteS25FL064LABMFM010
Código Farnell2771136
Rango de Producto3V Serial NOR Flash Memories
También conocido comoSP005661065, S25FL064LABMFM010
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serie
Densidad de Memoria64Mbit
Configuración de Memoria8M x 8bit
InterfacesSPI
Encapsulado del CISOIC
Número de pines8Pins
Frecuencia de Reloj Máx.108MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal3V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Gama de Producto3V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
S25FL064LABMFM010 is a SPI multi-I/O, 3.0V flash memory. It connects to a host system via a serial peripheral interface (SPI). It offers high densities coupled with the flexibility and fast performance required by a variety of mobile or embedded applications. It provides an ideal storage solution for systems with limited space, signal connections, and power. This memory offers flexibility and performance well beyond ordinary serial flash devices. It is ideal for code shadowing to RAM, executing code directly (XIP), and storing re-programmable data.
- 64Mb density, floating gate process technology
- 2.7V to 3.6V supply voltage, 6MBps (50MHz) normal read speed
- 13Mbps (108MHz) fast read speed, 26Mbps (108MHz) dual read speed
- 52Mbps (108MHz) quad read speed, 54Mbps (54MHz) quad read speed (DDR)
- 256B program buffer size, 1024B security region/OTP
- Individual and region protection or advanced sector protection
- Erase suspend/resume, program suspend/resume
- 100,000 minimum program-erase cycles, 20 year minimum data retention
- Automotive temperature range from -40°C to +125°C
- AEC-Q100 grade 1 qualified, 8-lead SOIC package
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serie
Configuración de Memoria
8M x 8bit
Encapsulado del CI
SOIC
Frecuencia de Reloj Máx.
108MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
3V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Densidad de Memoria
64Mbit
Interfaces
SPI
Número de pines
8Pins
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001592
Trazabilidad del producto