FM25CL64B-G

El FM25CL64B-G es un dispositivo FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) SPI de 64Kbit (8K x 8bit) en un encapsulado SOIC de 8 pines. Esta memoria no volátil realiza la lectura y escritura de forma similar a una memoria RAM. Ofrece retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades y los problemas de fiabilidad de nivel de sistema y sobrecarga provocados por las memorias EEPROM, Flash serie y otras memorias no volátiles. A diferencia de las memorias EEPROM y Flash serie, el dispositivo FM25CL64B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No incurre en retardos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de la transferencia exitosa de cada byte al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el dispositivo ofrece una resistencia a escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. El FM25CL64B proporciona beneficios significativos a los usuarios de memorias EEPROM o Flash serie como un reemplazo directo de hardware.

• Alto rendimiento de 100 trillones (10^14) de lecturas/escrituras
• Calificación de grado automotriz AEC-Q100
• Advanced high reliability ferroelectric process
• Up to 20MHz frequency
• Sophisticated write protection scheme
• Low power consumption
• Active current of 200μA at 1MHz
• Typical standby current of 3μA
• Low voltage operation from 2.7V to 3.65V
• Operating temperature range from -40°C to 85°C