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TQM150NB04DCR RLG
MOSFET Doble, Canal N, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteTQM150NB04DCR RLG
Código Farnell3773033RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 500+ | 1,260 € |
| 1000+ | 1,130 € |
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricanteTQM150NB04DCR RLG
Código Farnell3773033RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N40V
Corriente de Drenaje Continua Id39A
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N39A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P39A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0103ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0103ohm
Encapsulado del TransistorPDFN56U
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N48W
Disipación de Potencia Canal P48W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
40V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
39A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0103ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
48W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Corriente de Drenaje Continua Id
39A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
39A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0103ohm
Encapsulado del Transistor
PDFN56U
Disipación de Potencia Canal N
48W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004
Trazabilidad del producto