LTC4358IFE#PBF

El LTC®4358 es un diodo ideal de 5 A que usa un MOSFET interno de canal N de 20 mA para sustituir un diodo Schottky en aplicaciones de diodo-OR y diodo de alta corriente. El LTC4358 reduce el consumo de energía, la disipación de calor y el área de la placa PCB. De este modo, las fuentes de alimentación se conectan en OR fácilmente para aumentar la fiabilidad total del sistema. En las aplicaciones de diodo-OR, controla la caída de tensión hacia adelante a través del Interno MOSFET para garantizar una transferencia de corriente suave de una ruta a la otra sin oscilación. Las aplicaciones incluyen fuentes de alimentación redundantes N+1, sistemas de alta disponibilidad, infraestructuras de telecomunicaciones y sistemas de automoción.

• Conmutación suave sin oscilación
• Sin corriente CC inversa
• Rango de alimentación de 9 a 26,5 V (TA = 25 °C, VOUT = VDD, VDD = 9 V a 26,5 V)
• La corriente típica del pin IN es de 350μA (VIN = VOUT ± 1V, sin carga, TA = 25°C)
• La corriente típica del pin OUT es de 80μA (VIN = VOUT ± 1V, sin carga, TA = 25°C)
• La corriente típica de activación de la puerta del canal N es de -20μA (VGATE = VIN, VIN - VOUT = 0,1V, TA = 25°C)
• El tiempo típico de apagado es de 300ns (TA = 25°C. VOUT = VDD, VDD = 9V a 26,5V)
• La caída de tensión hacia delante típica del diodo del cuerpo es de 0,8 V (IIN = 5 A, MOSFET off, TA = 25 °C)
• TSSOP de plástico de 16 terminales
• Rango de temperatura nominal de -40°C a 85°C

Notas

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