HMC8411LP2FETR

El HMC8411LP2FE es un circuito integrado de microondas monolítico (MMIC) de arseniuro de galio (GaAs), transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones (pHEMT), amplificador de banda ancha de bajo ruido que funciona de 0,01 GHz a 10GHz. La potencia de salida saturada (PSAT) de 19,5dBm típica permite que el amplificador de bajo ruido (LNA) funcione como controlador de oscilador local (LO) para muchos de los mezcladores de rechazo de imagen, equilibrados, en fase/cuadratura (I/Q) de Analog Devices, Inc. También dispone de entradas y salidas acopladas internamente a 50 ohmios, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de radio de microondas de alta capacidad basadas en tecnología de montaje en superficie (SMT). Se usa en aplicaciones como instrumentación de pruebas, comunicaciones militares, etc.

• Ganancia típica de 15,5 dB (de 0,01 GHz a 1 GHz)
• Factor de ruido típico de 1,8 dB entre 0,01 GHz y 1 GHz
• La intercepción de tercer orden de salida es de 33,5 dBm típicos a (0,01 GHz a 1 GHz)
• La corriente de alimentación es de 55mA típicos
• Tensión de alimentación típica de 5 V
• La eficiencia de la potencia añadida es del 30%
• Temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
• El estilo del encapsulado es LFCSP de 6 terminales

Notas

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