HMC7992LP3DE

El HMC7992 es un conmutador de propósito general, no reflectante, de 0,1 GHz a 6 GHz, de silicio SP4T en un encapsulado de montaje en superficie sin terminales. El conmutador es ideal para aplicaciones de infraestructura celular, ofrece un alto aislamiento de 45 dB típico a 2 GHz y una baja pérdida de inserción de 0,6 dB a 2 GHz. Ofrece una excelente capacidad de manejo de potencia hasta 6GHz, con una potencia de entrada de punto de compresión de 1dB (P1dB) de 35dBm a 5V de funcionamiento. Tiene un buen manejo de la potencia de entrada de baja frecuencia por debajo de 0,1GHz y puede funcionar bien hasta 10KHz, con una compresión típica de 1dB de 21dBm y un IIP3 de 37dBm a 1MHz. La circuitería en chip permite que el dispositivo funcione con un único rango de tensión de alimentación positiva de 3,3 V a 5 V, así como con una única tensión de control positiva de 0 V a 1,8 V/3,3 V/5 V. Se utiliza en aplicaciones como infraestructura celular/4G, infraestructura inalámbrica, telemática de automoción, radios móviles, equipos de prueba, etc.

• Diseño no reflectante de 50 ohmios
• El aislamiento alto es 45dB típico a (0,1GHz a 2GHz, VDD = 3,3V a 5V)
• La pérdida de inserción típica es de 0,6 dB a 7 (0,1 GHz a 2 GHz, VDD = 3,3 V a 5 V)
• Alta potencia: 33dBm a través de la ruta, 27dBm en la ruta terminada
• La intercepción de tercer orden de entrada (IIP3) es de 58dBm típicos a (VDD = 5V, TCASE = 25°C)
• Clasificación ESD: 2KV modelo de cuerpo humano (HBM), clase 2
• Control estándar compatible con TTL, CMOS y 1,8 V
• Pin compatible con el HMC241ALP3E
• Temperatura de operación de -40°C a +105°C
• El estilo de encapsulado es LFCSP de 16 terminales

Notas

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