HMC739LP4E

El HMC739LP4E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) de GaAs e InGaP. El HMC739LP4(E) integra un resonador, un dispositivo de resistencia negativa, un diodo varactor y un prescaler de división por 16. El rendimiento del ruido de fase del VCO es excelente a pesar de la temperatura, los golpes y el proceso, gracias a la estructura monolítica del oscilador. La aplicación típica incluye radios punto a punto, radios punto a multipunto / LMDS, VSAT.

• No se necesita un resonador externo
• Rango de frecuencias de 23,8 a 26,8GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La potencia de salida es de 3dBm (min, RF OUT, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• El ruido de fase SSB con un offset de 100KHz, Vtune= +5V en la salida RF es de -93dBc/Hz (típico, TA = +25°C)
• Rango de tensión de ajuste de 1 a 13V (TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La corriente de alimentación es de 200 mA (tipo, Icc (RF), Icc (DIG), TA = +25 °C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5 V)
• La corriente de fuga del puerto de ajuste (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 3dB (típico, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La deriva de frecuencia es de 4MHz/°C (típico, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Encapsulado SMD de 24 terminales, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85°C

Notas

Los productos de ADI están solo autorizados (y vendidos) para usarse por el cliente y no se pueden revender o traspasar de cualquier otra manera a una tercera parte