HMC735LP5E

El HMC735LP5E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) de GaAs e InGaP. El HMC735LP5(E) integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y cuenta con una salida de frecuencia dividida por 4. El rendimiento del ruido de fase del VCO es excelente a pesar de la temperatura, los golpes y el proceso, gracias a la estructura monolítica del oscilador. La función de preescalado puede desactivarse para conservar la corriente si no es necesaria. Las aplicaciones típicas incluyen radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, SATCOM, uso final militar.

• No se necesita un resonador externo
• Rango de frecuencia de 8,45 a 12,2GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V)
• Rango de potencia de salida de 14 a 1dBm (RF OUT, TA = +25°C, Vcc (RF), Vcc (DIG) = +5V)
• Ruido de fase SSB a 100KHz offset, Vtune= +5V a la salida RF es -100 dBc/Hz (típ.)
• Rango de tensión de ajuste de 1 a 13V (TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La corriente de alimentación es de 217 mA (tipo, Icc (RF), Icc (DIG), TA = +25 °C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5 V)
• La corriente de fuga del puerto de ajuste (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 8dB (típico, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La deriva de frecuencia es de 1,4MHz/°C (típico, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Encapsulado LFCSP-EP de 16 terminales, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a 85°C

Notas

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