HMC636ST89E

HMC636ST89E es un amplificador en bloque de GaAs pHEMT, de alta linealidad, bajo ruido y ganancia de banda ancha que cubre de 0,2 a 4,0GHz. Encapsulado un SOT89 estándar de la industria, el amplificador se puede usar como una etapa de ganancia de 50 ohmios en cascada, un preconductor PA, un amplificador de bajo ruido o un bloque de ganancia con una potencia de salida de hasta +23dBm. Este versátil amplificador de bloque de ganancia se alimenta de una sola fuente de +5 V y no requiere componentes de adaptación externos. La topología de adaptación interna hace que este amplificador sea compatible con prácticamente cualquier material o grosor de placa PCB. Es ideal para telefonía móvil / PCS / 3G, WiMAX, WiBro, e inalámbrica fija, CATV y cable módem, radio de microondas.

• E/S de 50 ohmios - sin adaptación externa
• La ganancia es de 13 dB típ. (Vs= 5,0 V, TA=+25 °C, rango de frecuencias de 0,2 - 2,0 GHz)
• La variación de la ganancia con la temperatura es de 0,01 dB/°C típica (Vs= 5,0V, TA=+25°C, rango de frecuencias de 0,2 - 2,0GHz)
• La pérdida de retorno de entrada es de 10 dB típica (Vs= 5,0 V, TA=+25 °C, rango de frecuencias de 0,2 - 2,0 GHz)
• La pérdida de retorno de salida es de 13 dB típica (Vs= 5,0 V, TA=+25 °C, rango de frecuencias de 0,2 - 2,0 GHz)
• El aislamiento inverso es de 22 dB típ. (Vs= 5,0 V, TA=+25°C, rango de frecuencias de 0,2 - 2,0 GHz)
• Factor de ruido de 2.5dB típ. (Vs= 5.0V, TA=+25°C, 0.2 - 2.0GHz rango de frecuencia)
• La corriente de alimentación (Icq) es de 155 mA típ. (Vs= 5,0 V, TA=+25 °C, rango de frecuencias de 0,2 - 2,0 GHz)
• Encapsulado de plástico moldeado por inyección de baja tensión
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85°C

Notas

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