HMC529LP5E

El HMC529LP5E es un transistor bipolar de heterojunción (HBT) de GaAs e InGaP. Este dispositivo integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y dispone de salidas de media frecuencia y división por 4. El rendimiento del ruido de fase del VCO es excelente a pesar de la temperatura, los golpes y el proceso, gracias a la estructura monolítica del oscilador. La potencia de salida es de +8dBm típica a partir de una tensión de alimentación de +5V. La función de preescalado puede desactivarse para conservar la corriente si no es necesaria. Se usa ampliamente en aplicaciones como radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar, etc.

• El ruido de fase es de -110dBc/Hz típico a (100KHz)
• Tensión de sintonización de 2 V a 13 V
• La corriente de alimentación es de 260 mA típica a (TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 8dB típica a (TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 1,2MHz/°C típica a (TA = +25°C, Vcc1, Vcc2 = +5V)
• No se necesita un resonador externo
• La salida doble es Fo = 12,4 GHz a 13,4 GHz, Fo/2 = 6,2 GHz a 6,7 GHz
• Temperatura de operación de -40°C a +85°C
• El estilo del encapsulado es SMT de 32 terminales

Notas

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