HMC509LP5E

El HMC509LP5E es un transistor bipolar de heterojunción (HBT) de GaAs e InGaP. Integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta una salida de media frecuencia. El rendimiento del ruido de fase del VCO es excelente a pesar de la temperatura, los golpes y el proceso, gracias a la estructura monolítica del oscilador. Las aplicaciones típicas incluyen radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar.

• No se necesita un resonador externo
• Rango de frecuencia de 7,8 a 8,8GHz (Fo, TA = +25° C, Vcc = +5V)
• La potencia de salida es de +10dBm (min, RFOUT, TA = +25° C, Vcc = +5V)
• Ruido de fase SSB a 100KHz offset, Vtune= +5V en RFOUT es -115dBc/Hz (típ, TA = +25° C, Vcc = +5V)
• Rango de tensión de ajuste de 2 a 13V (TA = +25° C, Vcc = +5V)
• Corriente de alimentación (Icc) (Vcc = +5,0V) es 250mA (típ, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• La corriente de fuga del puerto de sintonización (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25°C, Vcc = +5V)
• La pérdida de retorno de salida es de 2 dB (típico, TA = +25 °C, Vcc = +5 V)
• La deriva de frecuencia es de 0,9MHz/°C (típico, TA = +25°C, Vcc = +5V)
• Encapsulado QFN, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a 85°C

Notas

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