¿Necesita más?
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 42,230 € |
10+ | 35,870 € |
25+ | 34,270 € |
100+ | 32,670 € |
250+ | 32,630 € |
Información del producto
Resumen del producto
El HMC509LP5E es un transistor bipolar de heterojunción (HBT) de GaAs e InGaP. Integra resonadores, dispositivos de resistencia negativa, diodos varactores y presenta una salida de media frecuencia. El rendimiento del ruido de fase del VCO es excelente a pesar de la temperatura, los golpes y el proceso, gracias a la estructura monolítica del oscilador. Las aplicaciones típicas incluyen radio VSAT, radio punto a punto/multipunto, equipos de prueba y controles industriales, uso final militar.
- No se necesita un resonador externo
- Rango de frecuencia de 7,8 a 8,8GHz (Fo, TA = +25° C, Vcc = +5V)
- La potencia de salida es de +10dBm (min, RFOUT, TA = +25° C, Vcc = +5V)
- Ruido de fase SSB a 100KHz offset, Vtune= +5V en RFOUT es -115dBc/Hz (típ, TA = +25° C, Vcc = +5V)
- Rango de tensión de ajuste de 2 a 13V (TA = +25° C, Vcc = +5V)
- Corriente de alimentación (Icc) (Vcc = +5,0V) es 250mA (típ, TA = +25°C, Vcc = +5V)
- La corriente de fuga del puerto de sintonización (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25°C, Vcc = +5V)
- La pérdida de retorno de salida es de 2 dB (típico, TA = +25 °C, Vcc = +5 V)
- La deriva de frecuencia es de 0,9MHz/°C (típico, TA = +25°C, Vcc = +5V)
- Encapsulado QFN, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a 85°C
Notas
Los productos de ADI están solo autorizados (y vendidos) para usarse por el cliente y no se pueden revender o traspasar de cualquier otra manera a una tercera parte
Especificaciones técnicas
-
5V
-40°C
-
SMD, 5mm x 5mm
-
85°C
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto