HMC326MS8GETR

El HMC326MS8GE es un amplificador de controlador de MMIC de transistor bipolar de heterounión (HBT) de GaAs InGaP de alta eficiencia. Funciona entre 3GHz y 4,5GHz. El amplificador se presenta en un encapsulado de montaje en superficie de bajo coste con 8 conductores y base expuesta para mejorar el rendimiento térmico y de RF. El amplificador ofrece 21dB de ganancia y +26dBm de potencia saturada a partir de una tensión de alimentación de +5V. La capacidad de apagado está disponible para conservar el consumo de corriente cuando el amplificador no está en uso. La adaptación del circuito interno se optimizó para proporcionar una PAE superior al 40%. Se usa en aplicaciones como radios de microondas, sistemas de radio de banda ancha, amplificador controlador de bucle local inalámbrico, etc.

• La intercepción de salida de tercer orden (IP3) es de 36 dBm típicos
• La potencia de salida para una compresión de 1dB (P1dB) es de 23,5dBm típicos
• Factor de ruido típico de 5 dB
• Velocidad de conmutación típica de 10 ns
• La corriente de alimentación (Icc) es de 130mA típica a (Vpd = 5V)
• La variación de la ganancia con la temperatura es de 0,025 dB / °C típica
• Temperatura de funcionamiento de -40 a 85°C
• El tipo de encapsulado es MINI-SO-EP de 8 terminales

Notas

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