HMC311SC70E

HMC311SC70E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) de GaAs InGaP con bloque de ganancia MMIC SMT de CC a 8GHz. La topología Darlington reduce la sensibilidad a las variaciones normales del proceso y proporciona una excelente estabilidad de ganancia con la temperatura, al tiempo que requiere un número mínimo de componentes de polarización externos. Las aplicaciones típicas incluyen telefonía móvil / PCS / 3G, WiBro / WiMAX / 4G, redes inalámbricas fijas y WLAN, CATV y cable módem, radio de microondas y equipos de prueba.

• La ganancia es de 15,0 dB (típica, CC - 1,0 GHz, Vs= 5 V, Rbias= 22 ohmios, TA = +25 °C)
• La variación de la ganancia con la temperatura es de 0,004dB/ °C (típico, CC - 1,0GHz, Vs= 5V, Rbias= 22Ohm, TA = +25°C)
• La pérdida de retorno de entrada/salida es de 15 dB (típico, CC - 8,0 GHz, Vs = 5 V, Rbias = 22 ohmios, TA = +25 °C)
• El aislamiento inverso es de 18 dB (típico, CC - 8,0 GHz, Vs= 5 V, Rbias= 22 ohmios, TA = +25 °C)
• La potencia de salida para una compresión de 1dB (P1dB) es de 15,5dBm (típico, CC - 2,0GHz, TA = +25°C)
• La interceptación de tercer orden de salida (IP3) es de 30dBm (típico, CC - 2,0GHz, Vs= 5V, Rbias= 22Ohm, TA = +25°C)
• El factor de ruido es de 5 dB (típico, CC - 8,0 GHz, Vs= 5 V, Rbias= 22 ohmios, TA = +25 °C)
• La corriente de alimentación (Icq) es de 55mA (típ., Vs= 5V, Rbias= 22Ohm, TA = +25°C)
• Encapsulado SC70, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85°C

Notas

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