DS1230Y-85+

La DS1230Y-85+ es una SRAM no volátil de 256KB en encapsulado EDIP de 28 pines. Es una SRAM no volátil totalmente estática de 262.144 bits organizada como 32.768 palabras por 8 bits. Esta SRAM NV tiene una fuente de energía de litio integrada y circuitería de control que supervisa constantemente el valor VCC para detectar condiciones fuera de tolerancia. Cuando se produce dicha condición, la fuente de energía de litio se activa automáticamente y se habilita incondicionalmente la protección contra escritura para evitar corrupción de datos. Este dispositivo se puede usar en lugar de las RAMs estáticas de 32K x 8 existentes con conformidad directa con el popular encapsulado DIP de 28 pines de ancho de byte. El dispositivo DIP es compatible con la configuración de pines de EEPROMs 28256, lo que permite sustitución directa con rendimiento mejorado. Este dispositivo tiene un encapsulado modular de bajo perfil diseñado específicamente para aplicación de montaje superficial. No hay límite al número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requiere circuitería de soporte adicional para interconexión de microprocesador.

• Rango de tensión de alimentación de 4,5V a 5,5V
• Rango de temperatura de operación de 0°C a 70°C
• Reemplaza memoria RAM estática volátil, EEPROM o Flash de 32K x 8
• Ciclos de escritura ilimitados
• Funcionamiento CMOS de baja potencia
• Tiempo de acceso para lectura y escritura de 85ns
• La fuente de energía de litio se desconecta para mantener la frescura hasta que se aplica potencia por primera vez

Advertencias

La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.

Notas

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