DS1225AD-150IND+

La DS1225AD-150IND+ es una SRAM no volátil de 64K en un encapsulado EDIP de 28 pines. Se trata de una SRAM de 65.536 bits, totalmente estática y no volátil, organizada en 8192 palabras de 8 bits. Cada SRAM no volátil integra una fuente de energía de litio integrada y circuitería de control para supervisión constante de VCC a fin de detectar condiciones fuera de tolerancia. Cuando se produce una condición de este tipo, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se activa incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. La SRAM NV puede usarse en lugar de las SRAM de 8K x 8 existentes y se ajusta directamente al popular encapsulado DIP de 28 pines de bytewide. El dispositivo coincide con la disposición de pines de la EPROM 2764 y la EEPROM 2864, lo que permite una sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento. No hay límite en el número de ciclos de escritura que pueden ejecutarse y no se requiere circuitería de soporte adicional para la interconexión con el microprocesador.

• Rango de tensión de alimentación de 4.5V a 5,5V
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
• Datos protegidos automáticamente durante pérdidas de potencia
• Sustitución directa de EEPROM o RAM estática volátil 8K x 8
• Ciclos de escritura ilimitados
• CMOS de baja potencia
• El tiempo de acceso de lectura y escritura es de 150ns
• La fuente de energía de litio se desconecta para conservar la frescura hasta que se aplica energía por primera vez
• La tensión de protección contra escritura es de 4,37 V
• La corriente de funcionamiento es de 85 mA

Advertencias

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Notas

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