DS1225AD-150+

La DS1225AD-150+ es una SRAM no volátil de 64K en encapsulado EDIP de 28 pines. Es una SRAM no volátil totalmente estática de 65.536 bits organizada como 8192 palabras por 8 bits. Cada SRAM NV tiene una fuente de energía de litio integrada y circuitería de control que supervisa constantemente el valor VCC para detectar condiciones fuera de tolerancia. Cuando se produce dicha condición, la fuente de energía de litio se activa automáticamente y se habilita incondicionalmente la protección contra escritura para evitar corrupción de datos. La SRAM NV se puede usar en lugar de las SRAMs 8K x 8 existentes con conformidad directa con el popular encapsulado DIP de 28 pines de ancho de byte. El dispositivo es compatible con la configuración de pines de las EPROM 2764 y EEPROM 2864, lo que permite sustitución directa con rendimiento mejorado. No hay límite al número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requiere circuitería de soporte adicional para interconexión de microprocesador.

• Rango de tensión de alimentación de 4,5V a 5,5V
• Rango de temperatura de operación de 0°C a 70°C
• Datos protegidos automáticamente durante pérdidas de potencia
• Sustitución directa de EEPROM o RAM estática volátil 8K x 8
• Ciclos de escritura ilimitados
• Funcionamiento CMOS de baja potencia
• Tiempo de acceso para lectura y escritura de 150ns
• La fuente de energía de litio se desconecta para mantener la frescura hasta que se aplica potencia por primera vez

Advertencias

La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.

Notas

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