DS1220AB-150+

La DS1220AB-150+ es una SRAM no volátil de 16K en encapsulado EDIP de 24 pines. Esta SRAM no volátil totalmente estática de 16.384 bits está organizada como 2048 palabras por 8 bits. Tiene fuente de energía de litio integrada y circuitería de control que supervisa constantemente el valor VCC para detectar condiciones fuera de tolerancia. Si se produce dicha condición, la fuente de energía de litio se activa automáticamente y se habilita incondicionalmente la protección contra escritura para evitar corrupción de datos. La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta que se aplica potencia por primera vez. La SRAM NV se puede usar en lugar de las SRAMs 2K x 8 existentes con conformidad directa con el popular encapsulado DIP de 24 pines de ancho de byte. El dispositivo también es compatible con la configuración de pines de EPROM 2716 y EEPROM 2816, lo que permite sustitución directa con rendimiento mejorado. No hay límite al número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requiere circuitería de soporte adicional para interconexión de microprocesador.

• Rango de tensión de alimentación de 4,75V a 5,25V
• Rango de temperatura de operación de 0°C a 70°C
• Retención mínima de datos de 10 años en ausencia de suministro externo
• Datos protegidos automáticamente durante pérdidas de potencia
• Tecnología CMOS de baja potencia
• Tiempo de acceso de lectura y escritura de 150ns
• Tensión de protección contra escritura de 4,62V
• Capacitancia de entrada/salida de 5pF

Advertencias

La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.

Notas

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