ADRF5519BCPZN

ADRF5519 es un módulo multichip RF front-end integrado de doble canal diseñado para aplicaciones de duplexación por división de tiempo (TDD) que funciona de 2,3GHz a 2,8GHz. Está configurado en canales duales con un amplificador de bajo ruido (LNA) de dos etapas en cascada y un conmutador de silicio SPDT. En funcionamiento de transmisión, las entradas de RF se conectan a un pin de terminación (ANT-CHA o ANT-CHB conectadas a TERM-CHA o TERM-CHB, respectivamente). El conmutador ofrece una baja pérdida de inserción de 0,5 dB y gestiona una potencia media de evolución a largo plazo (LTE) (relación pico/media (PAR) de 9 dB) de 43 dBm para un funcionamiento durante toda la vida útil. Se usa en aplicaciones como infraestructuras inalámbricas, sistemas de antenas activas y de entrada y salida múltiple masiva TDD, sistemas de comunicación basados en TDD, etc.

• LNA de 2 etapas e interruptor SPDT de silicio de alta potencia, polarización y adaptación en chip
• Funcionamiento con una sola fuente de alimentación, manejo de alta potencia a TCASE = 105°C
• El modo de alta ganancia es de 35 dB típicos a 2,6 GHz
• El modo de baja ganancia es de 14 dB típicos a 2,6 GHz
• RXOUT-CHA y RXOUT-CHB es 45dB típico, TERM-CHA y TERM-CHB es 60dB típico
• Baja pérdida de inserción de 0,5 dB típica a 2,6 GHz, control lógico positivo
• Modo de apagado y modo de baja ganancia, OIP3 alto es 32dBm típico
• La tensión de alimentación es de 5 V, la corriente de alimentación (alta ganancia) es de 110 mA
• La corriente de alimentación (modo de apagado) es de 12 mA típicamente
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a 105°C, el tipo de encapsulado es LFCSP de 40 terminales

Notas

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