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FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC016N04LSGATMA1
Código Farnell2432701
También conocido comoBSC016N04LS G, SP000394801
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
Referencia del fabricanteBSC016N04LSGATMA1
Código Farnell2432701
También conocido comoBSC016N04LS G, SP000394801
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0016ohm
Encapsulado del TransistorTDSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia139W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Alternativas para BSC016N04LSGATMA1
8 productos encontrados
Resumen del producto
The BSC016N04LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for fast switching applications. It is perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Halogen-free, Green device
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Superior thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- MSL1 rated
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Encapsulado del Transistor
TDSON
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
139W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0016ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000177
Trazabilidad del producto