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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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1+ | 21,060 € |
5+ | 18,130 € |
10+ | 15,210 € |
50+ | 12,280 € |
100+ | 11,760 € |
250+ | 11,240 € |
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
Referencia del fabricanteC3M0075120K
Código Farnell2709521
Rango de ProductoC3M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id30.8A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.075ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines4Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia119W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoC3M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Resumen del producto
- Tecnología MOSFET SiC (carburo de silicio) C3MTM
- Encapsulado optimizado con pin de fuente de controlador independiente
- Distancia de fuga de 8mm entre drenador y fuente
- Alta tensión de bloqueo con baja resistencia en estado conductor
- Alta velocidad de conmutación con bajas capacitancias
- Reduce las pérdidas por conmutación y minimiza la resonancia de puerta
- Eficiencia de sistema superior
- Reduce los requisitos de refrigeración
- Aumenta la densidad de potencia y la frecuencia de conmutación del sistema
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
30.8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.075ohm
Número de pines
4Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
119W
Gama de Producto
C3M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para C3M0075120K
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.009072