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SIZF360DT-T1-GE3
MOSFET Doble, SkyFET, Canal N, 30 V, 30 V, 143 A, 143 A, 0.0016 ohm
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIZF360DT-T1-GE3
Código Farnell3280635
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,250 € |
| 10+ | 1,090 € |
| 100+ | 0,922 € |
| 500+ | 0,797 € |
| 1000+ | 0,649 € |
| 5000+ | 0,611 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,25 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIZF360DT-T1-GE3
Código Farnell3280635
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N143A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P143A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0016ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0016ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAIR
Número de Pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N78W
Disipación de Potencia Canal P78W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
143A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0016ohm
Número de Pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
78W
Gama de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
143A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0016ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia Canal N
78W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000123
Trazabilidad del producto