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SIZ340DT-T1-GE3
MOSFET Doble, Canal N, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.0042 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,050 € |
| 10+ | 0,710 € |
| 100+ | 0,538 € |
| 500+ | 0,456 € |
| 1000+ | 0,371 € |
| 5000+ | 0,349 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIZ340DT-T1-GE3
Código Farnell2422226
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N40A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P40A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0042ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0042ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAIR
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N31W
Disipación de Potencia Canal P31W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SIZ340DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble en un encapsulado de montaje superficial. Es adecuado para carga de batería buck de tipo síncrono y tarjetas gráficas, así como aplicaciones POL.
- Sin halógenos
- MOSFET de potencia TrenchFET®
- 100% probado Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
40A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0042ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
31W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
40A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0042ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia Canal N
31W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SIZ340DT-T1-GE3
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00033
Trazabilidad del producto