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TTC5200(Q)
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Orificio Pasante
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,060 € |
| 10+ | 1,930 € |
| 100+ | 1,450 € |
| 500+ | 1,390 € |
| 1000+ | 1,330 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteTTC5200(Q)
Código Farnell1901957
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx230V
Corriente de Colector Continua15A
Disipación de Potencia150W
Encapsulado del TransistorTO-3PL
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición30MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE80hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2020)
Resumen del producto
The TTC5200 from Toshiba is a through hole NPN silicon transistor in TO-3P package with high collector voltage. This device is commonly used for power amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 230V
- Collector to base voltage of 230V
- Collector current (Ic) is 15A
- Power dissipation (pd) is 150W
- Junction temperature of 150°C
- Current gain of 35 at 7A collector current
- Collector to emitter saturation voltage of 3V
- Collector to emitter breakdown voltage of 230V
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
15A
Encapsulado del Transistor
TO-3PL
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
80hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
230V
Disipación de Potencia
150W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
30MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2020)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2020)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.015876
Trazabilidad del producto