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2SA1943-O(Q)
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3PL, Orificio Pasante
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricante2SA1943-O(Q)
Código Farnell3872203
También conocido como2SA1943, 2SA1943-O(Q
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,570 € |
| 10+ | 2,410 € |
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,590 € |
| 1000+ | 1,460 € |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricante2SA1943-O(Q)
Código Farnell3872203
También conocido como2SA1943, 2SA1943-O(Q
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión Colector-Emisor Máx230V
Corriente de Colector Continua15A
Disipación de Potencia150W
Encapsulado del TransistorTO-3PL
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición30MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE55hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
2SA1943-O(Q) is a silicon PNP triple diffused type transistor for power amplifier application.
- High collector voltage is -230V min (Ta = 25°C)
- Complementary to 2SC5200
- Recommended for 100W high-fidelity audio frequency amplifier output stage
- Collector power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
- Collector cut-off current is -5μA max (VCB = -230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Emitter cut-off current is -5μA max (VEB = -5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter breakdown voltage is -230V min (IC = -50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Collector-emitter saturation voltage is -1.5V typ (IC = -8A, IB = -0.8A, Ta = 25°C)
- Transition frequency is 30MHz typ (VCE = -5V, IC = -1A, Ta = 25°C)
- 55 min DC current gain (VCE = −5V, IC = −1A), junction temperature is 150°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Corriente de Colector Continua
15A
Encapsulado del Transistor
TO-3PL
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
55hFE
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tensión Colector-Emisor Máx
230V
Disipación de Potencia
150W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
30MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.015876
Trazabilidad del producto