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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 0,803 € |
10+ | 0,580 € |
50+ | 0,517 € |
100+ | 0,458 € |
250+ | 0,448 € |
500+ | 0,439 € |
1000+ | 0,429 € |
2500+ | 0,419 € |
Información del producto
Resumen del producto
El LM358M/NOPB es un amplificador operacional doble de alta ganancia y baja potencia compuesto de dos amplificadores operacionales independientes, que se ha diseñado específicamente para operar mediante un suministro simple en un amplio rango de tensiones. También es posible su funcionamiento a partir de fuentes de alimentación divididas y la baja pérdida de corriente de alimentación es independiente de la magnitud de la tensión de alimentación. Sus áreas de aplicación incluyen amplificadores de transductor, bloques de ganancia DC y todos los circuitos amplificadores operacionales convencionales, que ahora se pueden implementar más fácilmente en sistemas de alimentación simple. El amplificador de la serie LM358 con compensación de frecuencia interna se puede operar directamente mediante la fuente de alimentación de tensión estándar de 3,3V que se utiliza en sistemas digitales y proporciona fácilmente la electrónica de interconexión necesaria sin necesidad de fuentes de alimentación adicionales de ±15V.
- Compensación de frecuencia interna para ganancia unitaria
- Gran ganancia de tensión DC de 100dB
- Rango de tensión de entrada de modo común
- Rango de tensión de entrada diferencial igual a la tensión de alimentación
- Amplia oscilación de tensión de salida
- Especificación militar
- Producto ecológico sin Sb/Br
Advertencias
El dispositivo integra protección limitada contra descargas ESD. Se deberían cortocircuitar los terminales o colocar el dispositivo en espuma conductora durante el almacenamiento o manejo del mismo para evitar daños por descargas electrostáticas a las puertas MOS.
Notas
El dispositivo integra protección limitada contra descargas ESD. Se deberían cortocircuitar los terminales o colocar el dispositivo en espuma conductora durante el almacenamiento o manejo del mismo para evitar daños por descargas electrostáticas a las puertas MOS.
Especificaciones técnicas
2Channels
0.1V/µs
SOIC
Baja Potencia
2mV
Montaje en superficie
70°C
-
No SVHC (27-Jun-2018)
-
2 Amplificadores
1MHz
3V a 32V
8Pins
-
45nA
0°C
-
-
SOIC
1MHz
0.1V/µs
Documentos técnicos (1)
Alternativas para LM358M/NOPB
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Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
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