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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricante6A80G
Código Farnell2627897
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 0,629 € |
10+ | 0,472 € |
100+ | 0,368 € |
500+ | 0,278 € |
1000+ | 0,226 € |
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Información del producto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Referencia del fabricante6A80G
Código Farnell2627897
Hoja de datos técnicos
Cresta de Tensión Inversa Recurrente800V
Corriente Directa Promedio6A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1V
Tiempo de Recuperación Inversa-
Sobrecorriente Directa250A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoConexión Axial
Número de Pines2Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
800V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de Pines
2Pins
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
6A
Tensión Directa Máxima
1V
Sobrecorriente Directa
250A
Encapsulado del Diodo
Conexión Axial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00165