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PD55003-E
Transistor FET de RF, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricantePD55003-E
Código Farnell2341739
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 400+ | 6,590 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 400
Múltiplo: 400
2.636,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricantePD55003-E
Código Farnell2341739
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id2.5A
Disipación de Potencia31.7W
Frecuencia mín. de funcionamiento-
Frecuencia máx. de funcionamiento1GHz
Encapsulado del TransistorPowerSO-10RF
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.165°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The PD55003-E is a N-channel RF Power Transistor designed for high gain, broad band applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. It boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- Enhancement-mode lateral field-effect transistor
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Disipación de Potencia
31.7W
Frecuencia máx. de funcionamiento
1GHz
Número de pines
3Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Corriente de Drenaje Continua Id
2.5A
Frecuencia mín. de funcionamiento
-
Encapsulado del Transistor
PowerSO-10RF
Temperatura de Funcionamiento Máx.
165°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001801
Trazabilidad del producto