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DB3
DIAC / SIDAC, 28 V, 36 V, 50 µA, DO-35, 2 Pines, DIAC
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteDB3
Código Farnell
Rollo completo2354473
EACH 9802231
Su número de pieza
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Rollo completo
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5000+ | 0,0392 € |
| 15000+ | 0,0354 € |
Por unidad
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,217 € |
| 10+ | 0,134 € |
| 100+ | 0,083 € |
| 500+ | 0,0613 € |
| 1000+ | 0,0474 € |
| 2500+ | 0,0465 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteDB3
Código Farnell
Rollo completo2354473
EACH 9802231
Hoja de datos técnicos
Tensión mín. de irrupción28V
Tensión de Irrupción Máx.36V
Corriente de Ruptura Máx.50µA
Encapsulado del Diac / SidacDO-35
Número de pines2Pins
TipoDIAC
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Montaje de TiristorAgujero pasante
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tensión mín. de irrupción
28V
Corriente de Ruptura Máx.
50µA
Número de pines
2Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Gama de Producto
-
Tensión de Irrupción Máx.
36V
Encapsulado del Diac / Sidac
DO-35
Tipo
DIAC
Montaje de Tiristor
Agujero pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto