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BD135
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteBD135
Código Farnell9801529
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,605 € |
| 10+ | 0,337 € |
| 100+ | 0,277 € |
| 500+ | 0,215 € |
| 1000+ | 0,192 € |
| 5000+ | 0,173 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteBD135
Código Farnell9801529
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx45V
Corriente de Colector Continua1.5A
Disipación de Potencia1.25W
Encapsulado del TransistorTO-126
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición-
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE250hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BD135 es un transistor de baja tensión NPN fabricado en tecnología planar epitaxial. Está diseñado para controladores y amplificadores de audio que utilizan circuitos complementarios o cuasi-complementarios.
- Complementa al BD136
- Corriente base de 0,5A
- Resistencia térmica de unión a encapsulado de 10°C/W
- Resistencia térmica de unión a ambiente de 100°C/W
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
1.5A
Encapsulado del Transistor
TO-126
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
250hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
45V
Disipación de Potencia
1.25W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BD135
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:India
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:India
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00064