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Información del producto
FabricanteSOLID STATE
Referencia del fabricanteMJ11012
Código Farnell1713168
Hoja de datos técnicos
Tensión Colector-Emisor Máx60V
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo60V
Disipación de Potencia Pd200W
Corriente de Colector Continua30A
Disipación de Potencia200W
Corriente de Colector DC30A
Encapsulado del TransistorTO-3
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Número de pines2Pins
Frecuencia de Transición-
Mín. ganancia de corriente continua hFE1000hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.200°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Especificaciones técnicas
Tensión Colector-Emisor Máx
60V
Disipación de Potencia Pd
200W
Disipación de Potencia
200W
Encapsulado del Transistor
TO-3
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
200°C
Calificación
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
60V
Corriente de Colector Continua
30A
Corriente de Colector DC
30A
Montaje de Transistor
Through Hole
Número de pines
2Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
1000hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.012247