SM05.TCT

La matriz de diodos TVS de la serie SM está diseñada para proteger componentes que estén conectados a líneas de datos y transmisión contra sobretensiones transitorias causadas por descarga electrostática (ESD), transitorios eléctricos rápidos (EFT) y rayos. Se caracteriza por su alta capacidad de resistencia a transitorios, bajas tensiones de accionamiento y limitación y tiempo de respuesta rápido. Esto la hace ideal para uso como protección a nivel general de componentes semiconductores sensibles. El diseño de ánodo común de unión doble permite al usuario proteger una línea de datos bidireccional o dos líneas unidireccionales. Cumple los requisitos relativos a transitorios de IEC 61000-4-2 (anteriormente IEC 801-2), nivel 4 y modelo de cuerpo humano para descarga de aire y contacto.

• Pico de potencia de pulso de 300W (tp=8/20μs)
• Protección contra transitorios para líneas de datos y potencia en conformidad con IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (aire), ±8kV (contacto)
• Protección contra transitorios para líneas de datos y potencia en conformidad con IEC 61000-4-4 (EFT) para 40A (5/50ns)
• Protección contra transitorios para líneas de datos y potencia en conformidad con IEC 61000-4-5 (rayos) para 24A (8/20µs)
• Protege una línea bidireccional o dos líneas unidireccionales
• Baja tensión de bloqueo
• Tecnología de silicio de estado sólido para avalancha
• Tensión de operación de 5, 12, 15, 24 y 36V
• Rango de temperatura de operación de -55 a 125°C