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SKM75GB12V
Módulo IGBT, Medio Puente, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Módulo
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Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 84,960 € |
| 5+ | 80,080 € |
| 10+ | 74,880 € |
| 50+ | 72,170 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
Referencia del fabricanteSKM75GB12V
Código Farnell2423706
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N Doble
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector Continua114A
Corriente de Colector DC114A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.85V
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.85V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Unión Tj Máx.175°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Encapsulado del TransistorMódulo
Terminación IGBTPerno
Número de pines7Pins
Tensión Colector-Emisor Máx1.2kV
Tecnología IGBTV-IGBT
Montaje de TransistorPanel
Gama de Producto-
Resumen del producto
El SKM75GB12V es un módulo IGBT SEMITRANS® 2 para usar con unidades de inversor AC y soldadores electrónicos. Tiene placa base de cobre aislada que emplea tecnología DBC (unión directa de cobre) y capacidad aumentada de ciclo de trabajo.
- Interruptor de medio puente
- Tecnología de zanja V-IGBT (Fuji) de 6ª generación
- CAL4 = Conmutación suave de diodo CAL de 4ª generación
- Resistencia de puerta integrada
- Pérdidas de conmutación mínimas con alto valor di/dt
- Reconocimiento UL con número de archivo E63532
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N Doble
Corriente de Colector Continua
114A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.85V
Disipación de Potencia
-
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Terminación IGBT
Perno
Tensión Colector-Emisor Máx
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
114A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Unión Tj Máx.
175°C
Encapsulado del Transistor
Módulo
Número de pines
7Pins
Tecnología IGBT
V-IGBT
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Slovak Republic
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.18
Trazabilidad del producto