Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteUMG9NTR
Código Farnell1680400
Rango de ProductoUMG9N Series
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
689 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,410 € |
10+ | 0,250 € |
100+ | 0,165 € |
500+ | 0,129 € |
1000+ | 0,108 € |
5000+ | 0,0821 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
2,05 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteUMG9NTR
Código Farnell1680400
Rango de ProductoUMG9N Series
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN50V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP-
Corriente de Colector Continua100mA
Resistencia de Entrada Base R110kohm
Resistencia Base-Emisor R210kohm
Encapsulado del TransistorSOT-353
Número de pines5 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia150mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Mín. ganancia de corriente continua hFE30hFE
Gama de ProductoUMG9N Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The UMG9NTR is a dual NPN digital Bipolar Transistor with built-in biasing resistors. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
-
Resistencia de Entrada Base R1
10kohm
Encapsulado del Transistor
SOT-353
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
UMG9N Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
50V
Corriente de Colector Continua
100mA
Resistencia Base-Emisor R2
10kohm
Número de pines
5 Pines
Disipación de Potencia
150mW
Mín. ganancia de corriente continua hFE
30hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000035