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TP70H300G4JSGB-TR
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Montaje Superficial
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FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP70H300G4JSGB-TR
Código Farnell4680957
Rango de ProductoSuperGaN Series
Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,480 € |
| 10+ | 1,680 € |
| 100+ | 1,200 € |
| 500+ | 0,983 € |
| 1000+ | 0,921 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
2,48 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP70H300G4JSGB-TR
Código Farnell4680957
Rango de ProductoSuperGaN Series
Tensión Drenador-Fuente (Vds)700V
Corriente de Drenaje Continua Id8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.312ohm
Carga de Puerta Típica5.4nC
Encapsulado del TransistorQFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
700V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.312ohm
Encapsulado del Transistor
QFN
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
8A
Carga de Puerta Típica
5.4nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto