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TP65H030G4PRS-TR
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLT, Montaje Superficial
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FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H030G4PRS-TR
Código Farnell4680954RL
Rango de ProductoSuperGaN Series
Disponible para pedido
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 9,880 € |
| 250+ | 9,680 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 150
Múltiplo: 1
1.482,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteTP65H030G4PRS-TR
Código Farnell4680954RL
Rango de ProductoSuperGaN Series
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id55.7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.041ohm
Carga de Puerta Típica24.5nC
Encapsulado del TransistorTOLT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines16Pins
Gama de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.041ohm
Encapsulado del Transistor
TOLT
Número de Pines
16Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
55.7A
Carga de Puerta Típica
24.5nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
SuperGaN Series
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
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Peso (kg):.000001