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Fuera de producción
Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteHFA3127BZ
Código Farnell1611372
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCinco NPN
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN8V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP-
Corriente de Colector Continua NPN37mA
Corriente de Colector Continua PNP-
Disipación de Potencia NPN150mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN130hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP-
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de pines16Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.125°C
Frecuencia de Transición NPN8GHz
Frecuencia de Transición PNP-
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The HFA3127BZ is a NPN ultra-high frequency Bipolar Transistor Array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications. Access is provided to each of the terminals for the individual transistors for maximum application flexibility. Monolithic construction of these transistor arrays provides close electrical and thermal matching of the five transistors.
- 3.5dB Noise figure (50Ω) at 1GHz
- <lt/>1pA Collector to collector leakage
- Complete isolation between transistors
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Cinco NPN
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
-
Corriente de Colector Continua PNP
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
-
Número de pines
16Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
125°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
8V
Corriente de Colector Continua NPN
37mA
Disipación de Potencia NPN
150mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
130hFE
Encapsulado del Transistor
SOIC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
8GHz
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000354
Trazabilidad del producto