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HFA3101BZ
Array de Transistores Bipolares, Seis NPN, 8 V, 30 mA
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Fuera de producción
Información del producto
FabricanteRENESAS
Referencia del fabricanteHFA3101BZ
Código Farnell1561946
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorSeis NPN
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN8V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP-
Corriente de Colector Continua NPN30mA
Corriente de Colector Continua PNP-
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN70hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP-
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de pines8Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Frecuencia de Transición NPN10GHz
Frecuencia de Transición PNP-
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The HFA3101BZ is a NPN Gilbert cell UHF Bipolar Transistor Array configured as a multiplier cell. It achieves very high fT (10GHz) while maintaining excellent hFE and VBE matching characteristics that have been maximized through careful attention to circuit design and layout, making this product ideal for communication circuits. It is suitable for use in mixer applications and the cell provides high gain and good cancellation of 2nd order distortion terms.
- 3.5dB Low noise figure (transistor)
- <lt/>0.01nA Low collector leakage current
- Excellent hFE and VBE matching
- Pin to pin compatible to UPA101
- -40 to 85°C Temperature range
Notas
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Seis NPN
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
-
Corriente de Colector Continua PNP
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
-
Número de pines
8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
8V
Corriente de Colector Continua NPN
30mA
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
70hFE
Encapsulado del Transistor
SOIC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
10GHz
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000178
Trazabilidad del producto