HFA3096BZ
Array de Transistores Bipolares, NPN y PNP complementarios, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,610 € |
| 5+ | 9,070 € |
| 10+ | 7,520 € |
| 50+ | 7,290 € |
| 100+ | 7,230 € |
| 250+ | 7,100 € |
Información del producto
Resumen del producto
La HFA3096BZ es una matriz de transistores bipolares NPN-PNP de frecuencia ultra-alta que consiste en cinco transistores aislados dieléctricamente sobre un sustrato monolítico común. Los transistores NPN muestran una fT de 8GHz mientras que los transistores PNP proporcionan una fT de 5,5GHz. Ambos tipos se caracterizan por un bajo ruido (3,5dB) lo que los hace ideales para aplicaciones de mezclador y amplificador de alta frecuencia. Acceso proporcionado a cada uno de los terminales para los transistores individuales para una flexibilidad de aplicación máxima. La construcción monolítica de estos transistores proporciona compensación eléctrica y térmica precisa de los cinco transistores.
- Factor de ruido de 3,5dB (50Ω) a 1GHz
- Fuga de colector a colector de <lt/> 1pA
- Aislamiento total entre transistores
Notas
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
NPN y PNP complementarios
8V
37mA
150mW
130hFE
16Pins
125°C
5.5GHz
-
No SVHC (25-Jun-2025)
8V
37mA
150mW
130hFE
SOIC
Montaje Superficial
8GHz
-
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto