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NVMFD5C680NLT1G
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
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|---|---|
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| 1000+ | 0,709 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVMFD5C680NLT1G
Código Farnell2835612
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N26A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P26A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.023ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.023ohm
Encapsulado del TransistorDFN
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N19W
Disipación de Potencia Canal P19W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NVMFD5C680NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -4.3mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 23mohm typical at (VGS = 10V, ID = 5A)
- Input capacitance is 350pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 0.8nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V; ID = 10A)
- Turn-on delay time is 6.4ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Rise time is 25ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
26A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.023ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
19W
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
26A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.023ohm
Encapsulado del Transistor
DFN
Disipación de Potencia Canal N
19W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000012
Trazabilidad del producto