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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNJW3281G
Código Farnell2533337
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx250V
Corriente de Colector Continua15A
Disipación de Potencia200W
Encapsulado del TransistorTO-3P
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición30MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE45hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NJW3281G is a complementary NPN Silicon power bipolar transistor for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. Application includes home amplifiers, home receivers (high−end consumer audio products), theatre and stadium sound systems, public address systems (PAs) (professional audio amplifiers).
- Exceptional safe operating area, NPN gain matching within 10% from 50mA to 5A
- Excellent gain linearity, high BVCEO, high frequency, greater dynamic range
- Reliable performance at higher powers, accurate reproduction of I/P signal, high amplifier bandwidth
- Symmetrical characteristics in complementary configurations
- DC current gain is 75 (IC = 100mAdc, VCE = 5Vdc)
- Collector−emitter sustaining voltage is 250VDC min (TC = 25°C, IC = 100mAdc, IB = 0)
- Collector−emitter voltage is 250VDC (1.5V, TC = 25°C), collector−base voltage is 250VDC (TC = 25°C)
- Collector cutoff current is 50µAdc at (VCB = 250 Vdc, IE = 0)
- Current gain bandwidth product is 30MHz typ (IC = 1ADC, VCE = 5VDC, ftest = 1MHz)
- TO−3P package, operating temperature range from -65 to +150°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
15A
Encapsulado del Transistor
TO-3P
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
45hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
250V
Disipación de Potencia
200W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
30MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0058
Trazabilidad del producto