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MMBT589LT1G
Transistor de Unión Bipolar Único, VCE Bajo (Sat), PNP, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 50+ | 0,290 € |
| 100+ | 0,184 € |
| 500+ | 0,138 € |
| 1500+ | 0,121 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBT589LT1G
Código Farnell2464091
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión Colector-Emisor Máx30V
Corriente de Colector Continua1A
Disipación de Potencia310mW
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición100MHz
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE40hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MMBT589LT1G is a high current surface mount PNP silicon switching transistor for load management in portable applications.
- Collector-emitter voltage is -30VDC max (TA = 25°C)
- Collector-base voltage is -50VDC max (TA = 25°C)
- Emitter-base voltage is -5.0VDC max (TA = 25°C)
- Collector current - continuous is -1.0ADC max (TA = 25°C)
- Collector current - peak is -2.0A max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 310mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 403°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- SOT-23 package
- Junction temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Corriente de Colector Continua
1A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
40hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
30V
Disipación de Potencia
310mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto