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MMBFJ201
Transistor JFET, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBFJ201
Código Farnell2323150
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-40V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.200µA
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.1mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-1.5V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-40V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
1mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
200µA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-1.5V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000034
Trazabilidad del producto