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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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100+ | 0,639 € |
500+ | 0,517 € |
1000+ | 0,441 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDS6898A.
Código Farnell1471056
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N9.4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.014ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSOIC
Número de Pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N2W
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDS6898A es un MOSFET optimizado PWM de nivel lógico de canal N doble fabricado mediante proceso PowerTrench® avanzado. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado conductor (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones alimentadas por batería y de baja tensión que requieren baja pérdida de potencia en línea y conmutación rápida.
- Baja carga de puerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS(ON) extremadamente baja
- Alta capacidad de manejo de potencia y corriente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de Pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
9.4A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.014ohm
Encapsulado del Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Canal N
2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000217
Trazabilidad del producto