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FDC6401N
MOSFET Doble, Canal N, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDC6401N
Código Farnell1467966
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.07ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSuperSOT
Número de Pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N960mW
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDC6401N is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed. The device is suitable for use with DC-to-DC converters and battery protected applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±12V Gate to source voltage
- 3A Continuous drain/output current
- 12A Pulsed drain/output current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de Pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.07ohm
Encapsulado del Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Canal N
960mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para FDC6401N
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000047
Trazabilidad del producto