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NSF060120L3A0Q
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,170 € |
| 5+ | 14,880 € |
| 10+ | 13,580 € |
| 50+ | 11,580 € |
| 100+ | 10,990 € |
| 250+ | 10,470 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNSF060120L3A0Q
Código Farnell4416131
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id37A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.09ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.9V
Disipación de Potencia183W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
37A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.09ohm
Número de Pines
3Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.9V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
183W
Gama de Producto
-
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto